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阵列穿芯多层陶瓷电容器
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阵列穿芯多层陶瓷电容器

预定用途 :穿芯电容器产品,,,,,,使用额定温度在-55℃~125℃,,,,,,主要用于需要作温度补偿的地方,,,,,,以抵消因其它电路元件温度变化而引起阻抗变化,,,,,,广泛用于航天航空、雷达、船舶、导弹通讯、医疗设备、精密仪器、仪表等军用电子设备领域。。。。 。。。 。



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